Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB136N08N3 G
IPB136N08N3 G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB136N08N3 G

Номер детали производителя IPB136N08N3 G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 80V 45A D2PAK
Упаковка PG-TO263-3
В наличии 4853 pcs
Техническая спецификация IPx136,139N08N3 GPart Number GuideMultiple Devices 04/Jul/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4853 Infineon Technologies IPB136N08N3 G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 45A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 79W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1730 pF @ 40 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 45A (Tc)
Базовый номер продукта IPB136N

Рекомендуемые продукты

IPB136N08N3 G DataSheet PDF

Техническая спецификация